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英飛凌研發(fā)低成本氮化鎵芯片獲突破

欄目:行業(yè)資訊 發(fā)布時間:2024-09-15 來源: 中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會 瀏覽量: 1201
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參考消息網(wǎng)9月13日報(bào)道 據(jù)德國《商報(bào)》網(wǎng)站9月11日報(bào)道,英飛凌公司預(yù)計(jì)其節(jié)能芯片業(yè)務(wù)將獲得強(qiáng)勁推動:這家德國上市公司已開發(fā)出一種工藝,能以更低成本生產(chǎn)由創(chuàng)新材料氮化鎵制成的芯片??偛课挥谀侥岷诘挠w凌公司周三宣布了這一消息。

 

  英飛凌是全球首家在現(xiàn)有大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握氮化鎵半導(dǎo)體晶圓技術(shù)的供應(yīng)商。據(jù)該公司稱,這些晶圓上可容納的半導(dǎo)體數(shù)量是迄今常見晶圓的2.3倍。因此,未來這種元件的價(jià)格可能會大幅降低。對客戶來說,用氮化鎵半導(dǎo)體替代迄今占主導(dǎo)地位的硅半導(dǎo)體將更具吸引力。

 

  英飛凌希望以此在快速增長的市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。約爾情報(bào)公司的專家預(yù)計(jì),氮化鎵功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將實(shí)現(xiàn)近10倍的增長:從去年的2.6億美元增至2029年的25億美元。

 

  氮化鎵芯片是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的希望之一。由于人工智能的蓬勃發(fā)展,半導(dǎo)體正變得越來越重要。據(jù)奧姆迪亞公司的市場研究人員稱,氮化鎵元件可在網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)電源內(nèi)更高效地工作,從而減少數(shù)據(jù)中心的能量損耗。這降低了所謂服務(wù)器的能源需求。由此帶來的一個重要附加效應(yīng)就是計(jì)算機(jī)的冷卻需求減少。

 

  但這還不是全部:利用氮化鎵芯片,制造商可以為智能手機(jī)或電動汽車提供更緊湊、更高效的電池充電裝置。不過,到目前為止,這些元件的價(jià)格要比業(yè)界常見的硅芯片昂貴得多。

 

  英飛凌公司首席執(zhí)行官約亨·哈內(nèi)貝克表示,氮化鎵的優(yōu)點(diǎn)在于加工過程與硅非常相似。只有一個步驟存在差別,也是迄今導(dǎo)致較高成本的原因,那就是所謂的外延。就硅芯片而言,即在硅襯底材料上生長晶體。而對于氮化鎵,這是一個“真正的技術(shù)挑戰(zhàn),而且成本非常高”。

 

  英飛凌希望通過新工藝長期確保氮化鎵芯片的價(jià)格不會高于硅半導(dǎo)體。據(jù)稱,該技術(shù)已在位于菲拉赫工廠的試產(chǎn)線上得到驗(yàn)證。目前將根據(jù)需求擴(kuò)大產(chǎn)能。

 

  幾十年來,科學(xué)家們一直在研究氮化鎵。長期以來,這種材料主要用于發(fā)光二極管。由于成本較高,它在半導(dǎo)體領(lǐng)域難以超越硅。然而,氮化鎵的優(yōu)勢正日益占據(jù)上風(fēng)。這種晶體結(jié)構(gòu)材料可傳導(dǎo)比硅高得多的電壓,因此電流通過器件的速度更快,這意味著電器的充電速度也更快。(編譯/焦宇)


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